반도체 연구원의 하루/소자 이론 (3) 썸네일형 리스트형 Buried channel MOSFET Buried channel MOSFET 기본 컨셉 Buried channel은 아래 그림에서와 같이 surface와 떨어진 영역에서 channel이 형성되게 하는 방식의 MOSFET을 말한다. 일반적인 Surface channel MOSFET과 달리 minority carrier와 같은 극성의 캐리어를 만드는 dopant Channel implant를 통해서 Buried Channel의 potential 최대/최소(NMOS/PMOS) 지점에서 current path가 형성되어 전류가 흐르는 개념이다. Buried channel 장단점 Buried channel을 사용하는 가장 큰 이유는 "less surface scattering"이다. silicon surface로부터 멀어진 영역에 channel이 형.. [이론] OED Effect (Oxidation Enhanced Diffusion) Oxidation에 의해 생성되는 결정 결함(Interstitial Defect) 때문에 Interstitial Diffusion 발생하게 된다. Vacancy 대비해서 Interstitial 결합(Bonding)은 약하게 형성되어 Bonding을 끊고 확산되기 쉽다. 따라서 Interstitial Diffusion이 주로 발생. 불순물이 도핑되면 Interstitial 원자 O2(?)가 불순물 Boron으로 치환되고, Heat 에너지를 전달 받으면 Boron 재확산이 일어나게 되는데, 이때 Interstitial 영역에 있는 Boron은 빠르게 확산되어 나간다. (*추가적인 Fact Check 필요) Si Oxidation 속도에 비례하여 Point defect 발생 정도가 달라진다. --> 산화 속도.. [이론] BJT(Bipolar Junction Transistor) 동작 원리 이전 1 다음